激光脉冲沉积法在Si(100)上生长c轴择优取向的LiNbO3晶体薄膜及其性能

• 作者: 叶志镇 叶龙飞 汪雷 赵炳辉 黄靖云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光波导 铌酸锂薄膜 激光脉冲沉积法
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 488-491
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.9
• 字数: 1627字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.05.009

摘要

采用激光脉冲沉积(PLD)法在Si(100)衬底上生长得到了完全c轴择优取向的LiNbO3(LN)薄膜,X射线衍射分析表明LN(006)衍射峰的半峰宽为0.35°.利用棱镜耦合器,激光可以被耦合到LN薄膜中,形成TE和TM模式的光波导.测得LN薄膜的折射率n0为2.285,薄膜的厚度为0.199μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	汪雷	浙江大学硅材料国家重点实验室	41	646	13.0	25.0
4	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
5	叶龙飞	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	12	2.0	2.0