快闪存储器技术

• 作者: 张雪松 黄国华
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 不挥发性存储器(Non Volatile Memory) 快闪存储器(Flash) FN效应
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 制造工艺
• 页码范围: 38-40
• 页数: 3页
• 分类号: TP3
• 字数: 2891字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2583.2002.09.010

摘要

数字化技术离不开先进的存储器技术.随着数字相机、掌上电脑和MP3等数字化产品的日益普及,快闪存储器(Flash)一步步走进了人们的日常生活.本文从设计和制造的角度介绍了Flash的几种常见结构和生产制造工艺,对产品质量和可靠性问题也作了一些说明.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄国华		1	1	1.0	1.0
2	张雪松		1	1	1.0	1.0