量子阱结构中的等效宽度分析

• 作者: 周剑英 周小平 李锡华 杨爱龄 江晓清 王明华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子阱 等效宽度 结合能 GaAs/GaAlAs
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 725-730
• 页数: 6页
• 分类号: O471.1
• 字数: 2511字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.07.011

摘要

在有效质量近似下,分析了有限深势阱的电子基态能级,并和有相同能级的无限深势阱模型作比较,用数值方法得到了不同电场下两者之间的阱宽的关系 ,首次得出经验公式,发现结果与前人的实验和理论结果吻合得很好.分析了两种模型下的波函数和结合能,证实了有外加电场时采用零电场下的等效宽度的合理性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李锡华	浙江大学信息与电子工程学系	42	180	8.0	10.0
2	王明华	浙江大学信息与电子工程学系	134	958	17.0	24.0
3	江晓清	浙江大学信息与电子工程学系	104	672	13.0	20.0
4	杨爱龄	浙江大学信息与电子工程学系	11	59	4.0	7.0
5	周小平	浙江大学信息与电子工程学系	4	9	1.0	3.0
6	周剑英	浙江大学信息与电子工程学系	6	33	2.0	5.0