基于IGBT的自并励开关式励磁系统的研究

• 作者: 刘涤尘 刘芳芳 宋俊涛
• 来源期刊: 电工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 自并励励磁系统 IGBT 导通损耗 开关损耗 开关励磁
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 电机保护技术
• 页码范围: 42-43
• 页数: 2页
• 分类号: TM77
• 字数: 1625字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1388.2002.10.026

摘要

介绍IGBT在开关状态下进行功率变换的原因及在开关励磁中的工作原理、运行中存在的问题及解决措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘涤尘	武汉大学电气工程学院	306	4153	33.0	48.0
2	宋俊涛	武汉大学电气工程学院	8	27	3.0	4.0
3	刘芳芳		1	6	1.0	1.0