杂质对硅单晶机械性能影响的电子理论研究

• 作者: 刘贵立 张国英
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 60°位错 Recursion方法 电子结构 杂质对位错的钉 扎作用
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 713-716
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2660字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.07.008

摘要

根据位错理论建立了Si中纯净及掺杂60°位错模型,利用Recursion方法计算了Si中纯净及掺杂60°位错这种典型环境下的能量和电子结构,由此得出:N、O杂质在位错区比在非位错区更稳定,且O优先偏聚于位错,不过当O含量不高时,N、O可以同时偏聚于位错;在位错芯处原子除受近邻Si原子的作用外,还要受到杂质原子的钉扎作用,且N 的这种作用比O强,这就从电子理论上解释了掺杂适量的氮可以提高Si的强度和抗翘曲度的事实.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘贵立	沈阳工业大学信息科学与工程学院	90	606	14.0	19.0
2	张国英	沈阳工业大学信息科学与工程学院	32	214	8.0	14.0