紫外成像用高响应ZnS肖特基光电二极管阵列

• 作者: I.K.Sou S.Y.Au 沈大可 葛惟昆 韩高荣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnS肖特基 光电二极管阵列 分子束外延 高响应度
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 892-896
• 页数: 5页
• 分类号: TN311+.7
• 字数: 713字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.08.020

摘要

基于分子束外延(MBE)生长技术,制备出了新颖的8×8 ZnS肖特基光电二极管阵列,研究了制备该器件的标准光刻,金属沉积,湿化学腐蚀,SiO2绝缘层沉积等一系列微电子处理工艺.该肖特基光电二极管阵列的光谱响应截止边为340nm.在400～250nm的可见光盲区域,光电响应测试显示该器件在截止边波长处具有0.15A/W的高响应度,相对应的量子效率为55%.成像测试显示该器件具有良好的紫外成像特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩高荣	浙江大学硅材料国家重点实验室	187	1971	24.0	35.0
2	沈大可	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	42	2.0	6.0
4	葛惟昆	香港科技大学物理系	14	37	4.0	5.0
7	I.K.Sou	香港科技大学物理系	4	4	2.0	2.0
8	S.Y.Au	香港科技大学物理系	1	2	1.0	1.0