InGaAs量子点的自发发射及光增益

• 作者: Peter Blood Peter Smowton 宁永强 王立军 高欣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 自发发射 放大自发发射 光增益PACC:7320 4255P 6855
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 373-376
• 页数: 4页
• 分类号: O342.1
• 字数: 2454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.008

摘要

研究了InGaAs量子点材料自发发射、放大自发发射及光增益特性.实验发现InGaAs量子点材料随着注入电流密度的增加,其自发发射及放大自发发射光谱峰蓝移,表现出明显的能带填充现象.由于量子点材料尺寸及形状等存在一定的分布,在光谱中没有明显的对应量子点激发态的谱峰.由单程增益放大自发发射得到了量子点材料在不同注入电流密度下的光增益谱.结果表明存在由于量子点大小分布造成的量子点态非均匀展宽引起的增益峰蓝移和增益谱展宽现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立军	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理开放实验室	131	1339	19.0	31.0
2	宁永强	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理开放实验室	49	191	9.0	13.0
3	高欣	长春光机学院高功率激光国家重点实验室	3	6	2.0	2.0