超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流

• 作者: 张贺秋 毛凌锋 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 隧穿电流 高场应力 超薄 应变诱导漏电流
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 367-372
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 1648字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.007

摘要

用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱.对于不同的势垒变化,计算了电子隧穿氧化层厚度为4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流.结果表明,中性陷阱对隧穿电流的影响不能被忽略,中性陷阱的存在使隧穿电流增加,并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛凌锋	北京大学微电子学研究所	16	38	4.0	4.0
2	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
3	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0
4	张贺秋	北京大学微电子学研究所	6	20	3.0	4.0