Al/a-Si∶H复合薄膜的电导性能

• 作者: 杜丕一 王瑞春 翁文剑 韩高荣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: a-Si∶H Al诱导晶化 双层复合薄膜 多晶硅
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1067-1072
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 3329字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.10.012

摘要

采用真空热蒸发与PECVD方法,在经特殊设计的"单反应室双沉积"设备中沉积了Al/a-Si∶H复合薄膜,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射、Raman及X射线光电子谱等方法对复合薄膜在不同Al层厚度和不同温度退火后的晶化及电导行为进行了研究.结果表明,Al/a-Si∶H复合薄膜在不高于250℃的退火条件下即开始出现硅的晶体相.退火温度越高,Al层越厚,形成多晶硅的量越多.Al/a-Si∶H复合薄膜的电导率受Al原子在a-Si∶H中掺杂效应的影响,比纯a-Si∶H薄膜的大.随着硅晶体相在复合薄膜中的生成,复合薄膜的电导率受晶相比控制,晶相比增加,电导率增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜丕一	浙江大学硅材料国家重点实验室	80	880	17.0	27.0
2	韩高荣	浙江大学硅材料国家重点实验室	187	1971	24.0	35.0
3	翁文剑	浙江大学硅材料国家重点实验室	79	1088	20.0	30.0
4	王瑞春	浙江大学硅材料国家重点实验室	8	227	7.0	8.0