高p型掺杂对高亮度发光二极管的作用

• 作者: 刘颂豪 廖常俊 邓云龙
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管 p型高掺杂 高亮度发光二极管 电流扩散
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 72-75
• 页数: 4页
• 分类号: TN209
• 字数: 2183字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.04.022

摘要

根据统计学理论系统分析了p掺杂在高亮度发光二极管中(HB-LED)的作用,研究了p型限制层掺杂浓度及浓度梯度变化时导带势垒的变化,由此得到对提高电子有效约束的浓度范围;提高电流扩展层的掺杂浓度,减小电阻率,使得注入器件的电流得到充分的扩展.两者是提高器件的外量子效率非常有效的方法.实验证明了理论分析是正确的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘颂豪	华南师范大学量子电子学研究所	308	3297	27.0	39.0
2	廖常俊	华南师范大学量子电子学研究所	92	843	15.0	23.0
3	邓云龙	华南师范大学量子电子学研究所	4	16	3.0	4.0