1.25Gb/s InP基多量子阱激光器与HBT驱动电路的单片集成

• 作者: 刘式墉 徐晓春 敖金平 曾庆明 李献杰 杨树人 柯锡明 梁春广 王志功 赵方海
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光发射 单片集成 光电集成电路
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 468-472
• 页数: 5页
• 分类号: TN405|TN248.4
• 字数: 1357字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.05.005

摘要

描述了一种基于InP材料沿[011]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的InP基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成.通过一个横向缓冲台面结构,降低了激光器阳极和晶体管集电极互连工艺的难度,改善了光发射单片光电集成电路的可制造性.采用该方法制作的光发射单片直流功耗为120mW,在码长223-1传输速率1.5Gb/s伪随机码信号调制下有清晰的眼图,光输出功率为2dBm.