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摘要:
利用LPCVD SiO2和多晶硅作牺牲层和悬臂梁技术,解决了多晶硅应力释放问题以及微机械开关工艺与IC工艺兼容技术问题,获得了淀积弱张应力的多晶硅膜的最佳工艺条件,研制出多晶硅微机械开关.初步测试出其开关的开启电压为89V,开关速度为5μs,这为研制用于雷达和通讯的全单片集成的RF MEMS开关系统打下了基础.
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文献信息
篇名 多晶硅微机械开关
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 多晶硅微机械开关 悬臂梁 牺牲层 恢复力
年,卷(期) 2002,(9) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 914-920
页数 7页 分类号 TN820.8+3
字数 463字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.09.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张正元 重庆大学光电工程学院 14 100 5.0 9.0
3 黄尚廉 重庆大学光电工程学院 164 3610 34.0 51.0
4 徐世六 15 99 6.0 9.0
5 温志渝 重庆大学光电工程学院 143 1259 18.0 26.0
6 李开成 7 41 4.0 6.0
9 张正番 1 13 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
多晶硅微机械开关
悬臂梁
牺牲层
恢复力
研究起点
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
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35317
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