基于砷化镓材料的高功率超快光电导开关研究

• 作者: 屈光辉 张显斌 施卫 李琦 田立强
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光电导开关 GaAs材料 超快电脉冲
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 40-42
• 页数: 3页
• 分类号: TN201
• 字数: 2546字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6520.2002.05.018

摘要

简述了超快光电导开关的原理,分析了提高超快电脉冲时间特性的方法.通过辐照在GaAs内部引入深能级陷阱,并用基于此种材料的光电导开关在实验中获得了上升时间<200 ps的超快电脉冲波形.实验表明深能级的引入有利于开关对长波限激光脉冲的吸收.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张显斌	西安理工大学自动化与信息工程学院	29	407	10.0	19.0
2	施卫	西安理工大学自动化与信息工程学院	85	925	17.0	25.0
3	屈光辉	西安理工大学自动化与信息工程学院	19	96	7.0	9.0
4	田立强	西安理工大学自动化与信息工程学院	8	96	5.0	8.0
5	李琦	西安理工大学自动化与信息工程学院	52	753	15.0	25.0