半导体材料研究的新进展

• 作者: 王占国
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 量子线 量子点材料 光子晶体
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 8-12,14
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.01
• 字数: 7230字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.03.004

摘要

首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设、社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料、GaAs和InP单晶材料、半导体超晶格和量子阱材料、一维量子线、零维量子点半导体微结构材料、宽带隙半导体材料、光学微腔和光子晶体材料、量子比特构造和量子计算机用材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述.最后,提出了发展我国半导体材料的建议.本文未涉及II-VI族宽禁带与II-VI族窄禁带红外半导体材料、高效太阳电池材料Cu(In,Ga)Se.CuIn(Se,S)等以及发展迅速的有机半导体材料等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	101	701	15.0	23.0