GaAs/AlAs弱耦合掺杂超晶格中存在电流自激振荡的掺杂和电压条件

• 作者: 何礼熊 史正平
• 来源期刊: 福州大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 超晶格 振荡 NDV 场畴
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 页码范围: 39-42
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 2755字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2243.2002.01.011

摘要

结合宏观和微观模型, 对GaAs/AlAs弱耦合掺杂超晶格的纵向输运问题进行模拟计算, 并给出产生电流自激振荡时的掺杂浓度和固定偏压的范围. 计算结果与实验数据基本吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何礼熊	福州大学信息科学与技术学院	10	12	2.0	3.0
2	史正平	福州大学信息科学与技术学院	14	10	2.0	2.0