BJFET阻断能力分析及计算机模拟

• 作者: 晏敏 曾云 樊卫 盛霞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双注入 结型场效应晶体管 阻断能力 计算机模拟
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 73-75
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.6
• 字数: 1983字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.10.023

摘要

对新型双注入结型场效应晶体管(BJFET)的器件结构和工作原理进行了描述,对器件的阻断能力进行了理论分析和计算机模拟,并取得了一致的结论.同时也提出了改善器件阻断能力的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	晏敏	湖南大学应用物理系	61	635	13.0	23.0
2	曾云	湖南大学应用物理系	102	899	13.0	27.0
3	盛霞	湖南大学应用物理系	5	18	3.0	4.0
4	樊卫	湖南大学应用物理系	3	12	2.0	3.0