Si基纳米发光材料的研究进展

• 作者: X.W.Zhao 傅广生 彭英才
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: Si基纳米材料 制备方法 结构特征 发光机制 Si基光电器件
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 评述
• 页码范围: 721-730
• 页数: 10页
• 分类号: TB383
• 字数: 12961字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2002.10.001

摘要

Si基纳米材料是近年迅速发展起来的一类新型光电信息材料, 在未来的Si发光二极管、Si激光器以及Si基光电子集成技术中具有潜在的重要应用. 这些材料主要包括纳米多孔硅, 由SiO2膜、SiOx (x<2.0)膜与氢化非晶Si(a-Si:H)膜镶嵌或覆盖的Si纳米微粒, Si纳米量子点以及Si/SiO2超晶格等. 目前的研究迹象预示, 一旦这些材料能够实现高效率和高稳定度的光致发光(PL)或电致发光(EL), 很有可能在21世纪初引发一场新的信息革命. 主要介绍了过去10年中各类Si基纳米材料在制备方法、结构特征和发光特性方面的研究进展, 并初步预测了这一研究领域在今后10年内的发展趋势.