碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展

• 作者: 陈治明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 电力电子器件 器件工艺
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 673-680
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.2+4|TN405
• 字数: 6938字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.07.001

摘要

评述了各种碳化硅电力电子器件研究开发的最新进展及其发展前景,指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率与功率的能力,还在于能大幅度降低器件的功率损耗,使电力电子技术的节能优势得以更加充分地发挥.针对碳化硅材料的特殊性和实现碳化硅器件卓越性能的需要,分析了器件工艺当前亟待解决的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明		83	498	11.0	18.0