VDMOS场效应晶体管电路模型的构造及参数提取

• 作者: 张莉 田立林 赖柯吉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直双扩散MOS管 参数提取 子电路模型 JFET效应
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 251-256
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 917字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.004

摘要

从VDMOS的物理结构出发建立子电路模型,进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式.相对以往文献的结果,该模型避免了过多工艺参数的引入,同时对子电路进行了有效的简化.在参数提取软件中的加载结果表明,该模型结构简单,运算速度快,物理概念清晰,拟合曲线与测试数据符合精度高(直流误差5%以内,交流误差10%以内),适于在电路模拟及参数提取软件中应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张莉	清华大学微电子学研究所	36	242	8.0	15.0
2	田立林	清华大学微电子学研究所	31	116	6.0	8.0
3	赖柯吉	清华大学微电子学研究所	1	11	1.0	1.0