电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔

• 作者: 丁训民 侯晓远 徐少辉 柳毅 熊祖洪 顾岚岚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 微腔 光致发光
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 272-275
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2760字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.008

摘要

用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数--周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响,并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中,不但要考虑到HF酸对硅的纵向电流腐蚀,也要考虑到HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀.可通过选取合适的周期、占空比,使二者对多孔硅的作用达到适中,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔.并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数,根据优化的实验参数,制备出了发光峰半峰宽为6nm的多孔硅微腔.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯晓远	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	14	86	4.0	9.0
2	丁训民	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	14	97	5.0	9.0
3	柳毅	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	4	18	1.0	4.0
4	熊祖洪	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	5	63	4.0	5.0
5	顾岚岚	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	8	42	4.0	6.0
6	徐少辉	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	4	69	4.0	4.0