硅集成电路光刻技术的发展与挑战

• 作者: 康晋锋 王阳元
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻 集成电路 微电子
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 225-237
• 页数: 13页
• 分类号: TN405
• 字数: 14953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.001

摘要

从微电子集成电路技术发展的趋势,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求,综述了当前主流的DUV光学曝光技术和新一代曝光技术中的157nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光和纳米印制光刻技术的发展状况及所面临的技术挑战.同时,对光学曝光技术中采用的各种分辨率增强技术如偏轴照明(OAI)、光学邻近效应校正(OPC)、移相掩膜(PSM)、硅片表面的平整化、光刻胶修剪(resist trimming)、抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶等技术的原理进行了介绍,并对不同技术时代可能采用的曝光技术作了展望性的评述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王阳元	北京大学微电子所	78	1128	15.0	32.0
2	康晋锋	北京大学微电子所	23	358	9.0	18.0