HF/CrO3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备

• 作者: 任晓敏 罗丽萍 马骁宇 高俊华 黄永清 黄辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 动态掩膜腐蚀 选择性 化学湿法腐蚀 楔形结构
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 208-212
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2133字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.02.020

摘要

利用动态掩膜腐蚀技术,研究了HF/CrO3腐蚀液对各种不同组分的AlxGa1-xAs(x＝0.3,0.5,0.65)的腐蚀速率及腐蚀表面形貌.随着HF(48wt%)/CrO3(33wt%)的体积比由0.01变化到0.138,相应的腐蚀液对Al0.8-Ga0.2As/Al0.3Ga0.7As的选择性由179降到8.6;通过调节腐蚀液的选择性,在Al0.3Ga0.7As外延层上制备出了倾角从0.32°到6.61°的各种斜面.当HF(48wt%)/CrO3(33wt%)的体积比为0.028时,Al组分分别为0.3、0.5和0.65时,相应的腐蚀表面的均方根粗糙度为1.8、9.1和19.3nm.另外,还分析了腐蚀机理与腐蚀表面形貌之间的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永清		196	987	13.0	18.0
2	任晓敏		189	942	13.0	18.0
3	马骁宇	中国科学院半导体研究所	93	616	12.0	21.0
4	黄辉		59	282	10.0	12.0
5	罗丽萍	中国科学院半导体研究所	7	6	1.0	2.0
6	高俊华	中国科学院半导体研究所	17	111	7.0	10.0