GaN1-xPx三元合金的MOCVD生长

• 作者: 万寿科 孙学浩 张开骁 张荣 施毅 毕朝霞 沈波 王占国 胡立群 郑有炓 陈敦军 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN1-xPx MOCVD 化学态 红移
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 782-784
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1741字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.07.022

摘要

用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P 组分的GaN1-xPx三元合金.俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1 -xPx中P的掺入量最高达到20%且分布均匀;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga-P键的存在.对不同P组分的GaN1-xPx样品进行了低温光致发光 (PL)测试,与来自GaN衬底的带边发射相比,随三元合金中P组分的变化,GaN1-x Px的PL峰呈现出了不同程度的红移.在GaN1-xPx的PL谱中没有观测到有关GaP的发射峰,表明该合金材料没有发生相分离.