用正电子湮没技术研究不同化学成分的二元TiAl合金中的微观缺陷

• 作者: 曹名洲 熊良钺 邓文 钟夏平 黄宇阳 龙期威
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 正电子寿命 电子密度 微观缺陷 力学性能
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 页码范围: 573-577
• 页数: 5页
• 分类号: TG146.2
• 字数: 3846字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2002.08.003

摘要

测量了铝含量从47at%到53at%的二元TiAl合金的正电子寿命谱.结果表明:所有测试合金晶界缺陷的开空间均大于金属Al单空位的开空间.富Al的TiAl合金,其晶界缺陷的开空间随Al含量的增加而增大;晶界处的电子密度随Al含量的增加而降低.富Ti的TiAl合金,随着Ti含量的增加,其晶界(或相界)缺陷的开空间减小,晶界处的电子密度增高,使得晶界结合力增强.富Ti的TiAl合金中形成了α2 (Ti3Al)+γ(TiAl)层状结构双相组织使相界面增多,导致正电子陷阱数增加.讨论了合金的微观结构对其力学性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓文	广西大学物理系	56	247	8.0	13.0
3	黄宇阳	广西大学物理系	26	99	5.0	8.0
4	熊良钺	中国科学院国际材料物理中心	14	63	4.0	7.0
8	钟夏平	广西大学物理系	27	243	8.0	14.0
9	曹名洲	中国科学院金属研究所	20	112	6.0	10.0
12	龙期威	中国科学院国际材料物理中心	7	60	4.0	7.0