氢氧化镍电极材料的层错结构表征

• 作者: 张久兴 李娜娜 王宁 王超群
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氢氧化镍 电极材料 层错率 放电容量
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 496-500
• 页数: 5页
• 分类号: TF803.24|TB383
• 字数: 3081字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0609.2002.03.018

摘要

根据氢氧化镍电极材料的X射线衍射谱线的各向异性宽化特性, 提出层错结构表征方法. 采用层错宽化效应的Warren法和Lan gford谱分解法, 测算了一些镍电极材料的层错率. 结果发现层错率与材料的放电容量存在对应关系, 放电容量较高(270 mA*h/g)的材料层错率达14.9%, 而放电容量较低(207 mA*h/g)的材料层错率为7.6%.因此可以用层错率表征氢氧化镍电极材料的电化学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王超群		31	130	6.0	9.0
2	李娜娜	中南大学材料科学与工程系	11	114	6.0	10.0