应用于微电子的硅基氧化锆薄膜性质研究

• 作者: 郑航
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: MOS 氧化锆:半导体
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 71-73，77
• 页数: 4页
• 分类号: TN304:TN301.1
• 字数: 2550字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.08.022

摘要

用磁控溅射方法在Si(100)衬底上沉积了氧化锆薄膜.研究和比较了退火前和退火后的薄膜晶体结构、表面形貌以及Al/ZrO2/Si电容的金属-绝缘体-半导体性质.700℃氮气退火后的薄膜具有高的介电常数1 8,且在2V时漏电流小于1×10-7A/cm2,显示了良好的电学性质.氧化锆将是一种在未来的微电子器件中大有应用前景的新材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑航	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	1	0	0.0	0.0