用两种四探针方法测量硅单晶片边缘电阻率及其结果的比较

• 作者: 鲁效明
• 来源期刊: 计量技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电阻率 测量方法 测量结果比较
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 测量与设备
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: TM93
• 字数: 1564字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0771.2002.09.003

摘要

本文简述了两种四探针方法测量硅单晶样片边缘电阻率的优缺点,及测量结果的比较,突出了双电测四探针方法的测量优点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲁效明		4	67	3.0	4.0