垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用

• 作者: Hailin Luo Y.Wang 宋俊峰 崔洪峰 常玉春 杜国同 王金忠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结双极晶体管(HBT) 镇流电阻 电流集边效应
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 624-627
• 页数: 4页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 1557字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.06.013

摘要

在异质结双极晶体管(HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻,以改善其热稳定性.通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻,而且在功率HBT器件中还能非常有效地降低发射极电流集边效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋俊峰	吉林大学电子科学和工程学院	9	41	3.0	6.0
2	常玉春	吉林大学电子科学和工程学院	18	85	5.0	8.0
3	王金忠	吉林大学电子科学和工程学院	3	38	2.0	3.0
4	崔洪峰	吉林大学电子科学和工程学院	1	3	1.0	1.0
5	Hailin Luo	香港科技大学物理系	1	3	1.0	1.0
6	Y.Wang	香港科技大学物理系	1	3	1.0	1.0