掺碳氮化镓的光学性质

• 作者: 叶建东 张荣 施毅 王立宗 郑有炓 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 喇曼光谱 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 717-721
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2877字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.07.009

摘要

利用喇曼光谱和光致发光谱,对采用氢化气相外延淀积方法在MOCVD GaN衬底上生长的掺碳GaN样品的光学性质进行了研究.结果发现C3H8流量的增加导致载流子浓度的升高,喇曼谱出现蓝移,E1(LO)声子的Raman强度变弱.同时光致发光谱中蓝光带和黄光带发光强度随着掺碳浓度的增加先增强后减弱,这与掺杂碳的自补偿效应有关.高碳掺杂量的GaN材料的结构与光学性质均显著下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施毅	南京大学物理系	103	490	13.0	17.0
2	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
3	顾书林	南京大学物理系	46	261	9.0	14.0
4	叶建东	南京大学物理系	11	57	5.0	7.0
5	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
6	王立宗	南京大学物理系	1	13	1.0	1.0