PZT陶瓷的氢致滞后断裂

• 作者: 乔利杰 宿彦京 王毅 褚武扬
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: PZT压电陶瓷 氢致开裂 氢浓度
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 页码范围: 625-628
• 页数: 4页
• 分类号: TG111.91
• 字数: 2775字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2002.06.014

摘要

PZT压电陶瓷单边缺口恒载荷试样两面镀镍后在NaOH溶液中动态充氢时能发生氢致滞后断裂.研究了氢致滞后断裂门槛应力强度因子和试样中可扩散氢浓度的定量关系.结果表明,氢致断裂归一化门槛应力场强度因子KIH/KIC(KIC=1.34 MPa@m1/2)随氢浓度对数的升高而线性下降,即KIH/KIC=0.4-0.155lnCo.当Co=9.84×10-4%(对应充氢电流300 mA/cm2)时,KIH=0.01KIC.这表明,PZT陶瓷具有极高的氢致开裂敏感性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔利杰	北京科技大学材料物理系	139	834	15.0	21.0
2	褚武扬	北京科技大学材料物理系	135	889	17.0	22.0
3	宿彦京	北京科技大学材料物理系	53	346	9.0	17.0
4	王毅	北京科技大学材料物理系	9	34	2.0	5.0