一种新的半导体材料和器件结构:COS

• 作者: 王迅 阎志军
• 来源期刊: 物理
• 学科: 工学
• 关键词: 晶态氧化物 MOS晶体管 硅基集成 新材料
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 知识和进展
• 页码范围: 702-707
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 6810字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2002.11.003

摘要

国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到0.1μm以下,SiO2作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难.人们在寻找新的栅介质材料时,提出了一种新的结构,称为半导体上的晶态氧化物(COS).最近,COS被用作Si衬底上生长GaAs的过渡层,成为半导体材料和器件发展中一项新的突破.文章对这一结构的进展情况做一简要介绍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王迅	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	19	89	4.0	9.0
2	阎志军	兰州大学物理系	4	45	3.0	4.0