纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象

• 作者: 周雪梅 张洪涛 徐重阳 曾祥兵 王长安 赵伯芳 邹雪城
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC薄膜 纳米结构 掺杂 电导率Meyer-Neldel规则
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 722-724
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 1369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.07.010

摘要

对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂,B掺杂效率比P高,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer-Neldel规则,并有反转Meyer-Neldel规则出现.掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一.非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
2	徐重阳	华中科技大学电子科学与技术系	85	592	12.0	19.0
3	王长安	华中科技大学电子科学与技术系	23	163	7.0	11.0
4	赵伯芳	华中科技大学电子科学与技术系	11	38	4.0	6.0
5	周雪梅	华中科技大学电子科学与技术系	9	42	4.0	6.0
6	张洪涛	华中科技大学电子科学与技术系	22	97	4.0	8.0
7	曾祥兵	华中科技大学电子科学与技术系	1	6	1.0	1.0