大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导量子阱激光二极管

• 作者: 冯小明 刘媛媛 刘斌 方高瞻 王晓薇 肖建伟 蓝永生 谭满清 马骁宇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 激光二极管 波导
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 809-812
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 602字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.08.005

摘要

设计与制作了大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导激光二极管.器件的Al0.35Ga0.65As波导厚度提高到0.9μm,宽波导会引起高阶模的激射.为了抑制高阶模,Al0.55Ga0.45As限制层厚度降低到0.7μm,同时确保基横模的辐射损耗在0.2cm-1以下.采用MOCVD进行材料生长,得到了高性能的器件,100μm条形激光二极管的最大输出达10.2W.