基于实验与物理分析的4H-SiC射频功率MESFET大信号非线性精确电容模型

• 作者: 张义门 张玉明 杨林安
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 射频功率MESFET 非线性大信号模型 电容模型
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 188-192
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 4641字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.02.016

摘要

采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法,并结合Statz、Angelov等经验模型的描述方法,提出了常温下针对4H-SiC射频功率MESFET的大信号非线性电容模型.此模型在低漏源偏压区对栅源电容Cgs强非线性的描述优于Statz、Angelov等经验模型,计算量也远低于基于器件物理特性的数值模型,因而适合于大信号的电路设计与优化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	杨林安	西安电子科技大学微电子研究所	17	95	6.0	9.0
3	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0