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摘要:
提出了一种改进型的脉宽调制DC/DC变换器的电路结构,该电路具有结构简单、功耗低、转换效率高等特点.根据F0UNDRY提供的模型参数,用EDA工具对芯片主要电路和整个电源系统进行了模拟,给出了模拟结果.采用3μmP阱双层多晶、单层金属CMOS工艺制造芯片.
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文献信息
篇名 改进型脉宽调制DC/DC变换芯片的实现
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 脉宽调制 CMOS 电源管理芯片 功率MOSFET
年,卷(期) 2002,(3) 所属期刊栏目 EDA技术专栏
研究方向 页码范围 41-44
页数 4页 分类号 TN787+.2
字数 1830字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.03.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 林争辉 上海交通大学大规模集成电路研究所 116 603 12.0 20.0
2 胡黎强 上海交通大学大规模集成电路研究所 2 77 2.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
脉宽调制
CMOS
电源管理芯片
功率MOSFET
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
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