光照对阈值电压均匀性的影响

• 作者: 夏冠群 朱朝嵩 李传海 詹琰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 MESFET 光敏效应 阈值电压
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 165-168
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2495字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.02.011

摘要

研究了光照对砷化镓阈值电压均匀性的影响.结果表明光照使耗尽型MESFET器件的沟道电流增大,使阈值电压向负方向增加,并提高了阈值电压的均匀性.研究认为砷化镓单晶材料的深能级缺陷是影响MESFET阈值电压均匀性的重要因素之一,而光照在一定程度上减弱了这一影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏冠群	中国科学院上海冶金研究所	61	307	9.0	16.0
2	詹琰	中国科学院上海冶金研究所	26	83	5.0	8.0
3	李传海	中国科学院上海冶金研究所	3	1	1.0	1.0
5	朱朝嵩	中国科学院上海冶金研究所	4	1	1.0	1.0