大尺寸 6H-SiC半导体单晶材料的生长

• 作者: 刘先才 庄击勇 施尔畏 肖兵 陈之战
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅单晶 晶体生长 PVT法 微管道
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 685-690
• 页数: 6页
• 分类号: O782
• 字数: 3782字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.007

摘要

报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出ф45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104～105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω.cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施尔畏	中国科学院上海硅酸盐研究所	71	1736	25.0	41.0
2	陈之战	中国科学院上海硅酸盐研究所	23	556	13.0	23.0
3	刘先才	中国科学院上海硅酸盐研究所	2	32	2.0	2.0
4	肖兵	中国科学院上海硅酸盐研究所	11	152	8.0	11.0
5	庄击勇	中国科学院上海硅酸盐研究所	3	52	3.0	3.0