构成大容量非易失性SRAM方法分析

• 作者: 吴国新 朱其祥
• 来源期刊: 电测与仪表
• 学科: 工学
• 关键词: 非易失性静态存储器 NVSRAM 继电器
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 元器件及其应用
• 页码范围: 51-53
• 页数: 3页
• 分类号: TM333.2
• 字数: 1812字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1390.2002.02.015

摘要

分析了静态存储器的待机节电模式,介绍了构成非易失性SRAM两种方法:一是利用非易失性RAM控制器和静态存储器构成NVSRAM;二是利用继电器和静态存储器构成NVSRAM.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴国新	安徽财贸学院棉花工程研究所	3	4	1.0	2.0
2	朱其祥	安徽财贸学院棉花工程研究所	4	4	1.0	2.0