高阻硅基铝硅合金弹性膜MEMS相移器

• 作者: 卿健 忻佩胜 朱自强 石艳玲 赖宗声
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS相移器 铝硅合金膜 高阻硅(HR-Si) 下拉电压
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 972-976
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 2536字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.09.015

摘要

级联式MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化,来改变传输线的特性阻抗和相速,达到相移的目的.文中讨论了MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜,获得了较低的下拉电压.测试结果表明,相移器的下拉电压不大于40V,且当控制电压大于10V时,即有明显的相移.该MEMS相移器制备于电阻率大于4000Ω*cm的高阻硅衬底上,获得了较好的传输特性,在整个测试频段1～40GHz,S21均小于3dB,并在25V时获得了大于25°的相移量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石艳玲	华东师范大学电子科学技术系	47	205	8.0	12.0
2	忻佩胜	华东师范大学电子科学技术系	16	115	7.0	10.0
3	朱自强	华东师范大学电子科学技术系	40	272	11.0	13.0
4	赖宗声	华东师范大学电子科学技术系	136	779	13.0	18.0
5	卿健	华东师范大学电子科学技术系	7	57	4.0	7.0