Ge预非晶化硅化物工艺的研究

• 作者: 刘新宇 吴德馨 孙海锋 徐秋霞 海潮和
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI CMOS器件 全耗尽 Ge预非晶化硅化物
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 445-448
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2077字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.022

摘要

对全耗尽SOI CMOS技术中的Ge预非晶化硅化物工艺进行了研究．Ge的注入，使Si非晶化，减小了硅化物的形成能量．Ti硅化物在非晶层上形成．与传统的Ti硅化物相比，注Ge硅化物工艺有两个明显的特点：一是硅化物形成温度较低；二是硅化物厚度容易控制．采用注Ge硅化物工艺，使源漏薄层电阻约为5.2Ω/□．经过工艺流片，获得了性能良好的器件和电路，其中，当工作电压为5V时，0.8μm 101级环振电路延迟为45ps．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙海锋	中国科学院微电子中心	12	45	4.0	6.0
2	刘新宇	中国科学院微电子中心	141	717	13.0	18.0
3	海潮和	中国科学院微电子中心	72	277	9.0	13.0
4	徐秋霞	中国科学院微电子中心	37	108	6.0	8.0
5	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0