热处理时间对三氧化钼在MCM-41表面分散状态的影响

• 作者: 李正平 郑珊 高濂
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热处理时间 MoO3 MCM-41 分散
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1073-1077
• 页数: 5页
• 分类号: TB383
• 字数: 3005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.05.029

摘要

通过热处理实现了MoO3在介孔分子筛MCM-41表面的分散.用XRD和LRS研究了热处理时间对MoO3在MCM-41表面分散状态的影响,结果表明:随着热处理时间的延长,MoO3不断由聚集态转变成分散态,在m(MoO3):m(MCM-41)=0.2:1、500℃热处理8h,就能基本实现MoO3在MCM-41表面的完全分散,而MCM-41的有序介孔结构仍然保持.BET比表面积、孔容和BJH孔径的测定结果显示在MoO3分散到MCM-41表面后MCM-41孔结构参数随热处理时间的延长变化不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高濂	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	165	5315	44.0	64.0
2	郑珊	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	17	542	11.0	17.0
3	李正平	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	13	105	5.0	10.0