p型微氮直拉硅中氧施主的电学特性

• 作者: 余学功 李东升 李立本 杨德仁 汤艳 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉硅 氮氧复合体 热施主
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 377-381
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2328字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.009

摘要

研究了p型含氮以及不含氮直拉(CZ)硅中热施主(TD)以及氮氧(N-O)复合体的电学性质.硅片在350～850℃范围进行不同时间的退火后,利用四探针和通过室温傅里叶红外光谱(FTIR)分别测量其载流子浓度和间隙氧浓度的变化.实验结果表明:p型含氮直拉硅(NCZ)中热施主的电学特性基本与n型NCZ硅相同,但N-O复合体的消除温度明显低于n型NCZ硅,这是由于p型NCZ硅中硼促进了N-O复合体的消除.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	李立本	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	94	7.0	9.0
5	余学功	浙江大学硅材料国家重点实验室	18	119	7.0	10.0
6	李东升	浙江大学硅材料国家重点实验室	36	130	6.0	10.0
7	汤艳	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	11	2.0	2.0