氧化铝表面短程、非双电层斥力研究

• 作者: 孙静 高濂
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铝 氯化镁 短程斥力 原子力显微镜
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1209-1214
• 页数: 6页
• 分类号: TF123
• 字数: 3855字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.021

摘要

利用原子力显微镜研究了MgCl2介质中氧化铝表面相互作用力随距离的变化.发现当MgCl2介质浓度为10-4mol/L,pH分别为3.96和7.92时,在两表面距离＜10nm处存在一短程非双电层排斥力.pH进一步提高到9.5,MgCl2介质浓度在10-4～10-2mol/L时,也存在短程排斥作用.它阻止了两表面由于范德华力产生的吸引.在较低和中等pH条件下,短程斥力来源于水合镁离子在氧化铝表面的特性吸附;在较高pH条件下,镁离子以各种氢氧化物形式吸附在氧化铝表面产生短程排斥力.随pH的升高,这种吸附层变得致密而失去弹性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙静	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室	105	1431	20.0	35.0
2	高濂	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室	165	5315	44.0	64.0