选择外延MOCVD研制DFB激光器和模斑转换器集成器件

• 作者: 周帆 张静媛 王圩 董杰 邱伟彬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 选择外延 对接 模斑转换器 DFB激光器
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 459-463
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 606字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.05.003

摘要

研究了利用选择外延生长的InGaAsP材料的厚度增强因子和带隙波长的性质,最大的厚度增强因子为2.9.利用选择外延技术研制的DFB激光器和模斑转换器的集成器件,阈值为10.8mA-在60mA下输出功率为10mW,边模抑制比为35.8dB,垂直方向上的远场发散角从34°减少到9°,垂直方向上的1dB偏调容差为3.4μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董杰	中国科学院半导体研究所光电子工艺中心	26	129	7.0	10.0
2	王圩	中国科学院半导体研究所光电子工艺中心	47	124	6.0	7.0
3	邱伟彬	中国科学院半导体研究所光电子工艺中心	6	5	1.0	2.0
4	周帆	中国科学院半导体研究所光电子工艺中心	28	59	4.0	5.0
5	张静媛	中国科学院半导体研究所光电子工艺中心	11	37	3.0	5.0