铟镓氮薄膜的光电特性

• 作者: 刘祥林 李昱峰 汪度 王占国 王晓晖 袁海荣 陆大成 陆沅 陈振 韩培德
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN MOVPE PL
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 143-148
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 3823字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.02.006

摘要

用金属有机物气相外延设备,在氮化镓/蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜,并对其进行了X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试.确定该薄膜为单晶,其中In组分可以从0增加到0.26;在光致激发下发光光谱为单峰,且峰值波长在360～555nm范围内可调;其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合;并具有很高的电子浓度.但InGaN薄膜的结晶质量却随着In含量的增加而变差.