热载流子应力下p-MOSFETs在低栅电压范围的统一退化模型

• 作者: 穆甫臣 胡靖 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子效应 p-MOSFET 退化模型 电子流量
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 124-130
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 1703字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.02.003

摘要

研究了低栅电压范围的热载流子统一退化模型.发现对于厚氧化层的p-MOSFETs主要退化机制随应力电压变化而变化,随着栅电压降低,退化机制由氧化层俘获向界面态产生转变,而薄氧化层没有这种情况,始终是界面态产生;此外退化因子与应力电压成线性关系.最后得出了不同厚度的p-MOSFETs的统一退化模型,对于厚氧化层,退化由电子流量和栅电流的乘积决定,对于薄氧化层,退化由电子流量决定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0
3	胡靖	北京大学微电子学研究所	7	17	1.0	4.0
4	穆甫臣	北京大学微电子学研究所	7	14	2.0	3.0