CdTe薄膜的制备和后处理研究

• 作者: 冯良桓 张静全 武莉莉 蔡亚平 蔡伟
• 来源期刊: 四川大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: CdTe 近空间升华 太阳电池 退火
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 273-276
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4|TN304.2+5
• 字数: 2323字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2002.02.022

摘要

用近空间升华法制备CdTe薄膜.研究了在不同衬底材料、基片温度下薄膜的微结构.衬底温度在400℃以上薄膜结晶状况较为完整.结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大,尺寸均匀.对CdTe薄膜进行了加热后处理研究, 结果表明,加用CdCl2有助于热处理过程中薄膜晶粒的生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯良桓	四川大学材料科学系	78	424	10.0	17.0
2	蔡亚平	四川大学材料科学系	33	302	10.0	16.0
3	张静全	四川大学材料科学系	69	285	8.0	15.0
4	蔡伟	四川大学材料科学系	30	296	10.0	16.0
5	武莉莉	四川大学材料科学系	56	217	8.0	13.0