隧道结AlGaInP发光二极管

• 作者: 张广泽 李玉璋 沈光地 王国宏 郭霞 陈良惠 韦欣 马骁宇 高国
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 隧道结 AlGaInP 高亮度发光二极管 MOCVD
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 628-631
• 页数: 4页
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 805字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.06.014

摘要

报道了通过隧道结将衬底的导电类型从n型转变到p型,从而可以利用n型GaP作为以n型GaAs为衬底的AlGaInP发光二极管的电流扩展层.n型电流扩展层的电阻率低于p型电流扩展层的电阻率,这种结构改善了电流扩展层的作用,从而提高了发光二极管的光提取效率.对3μm GaP电流扩展层的发光二极管,实验结果表明,隧道结发光二极管的发光功率与具有相同基本结构的传统发光二极管相比,20mA时发光功率提高了50%,100mA时提高了66.7%.