透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算

• 作者: 范志新
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 透明导电薄膜 晶体结构 制备方法 最佳掺杂含量
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 589-592
• 页数: 4页
• 分类号: O484|TN304
• 字数: 3986字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.06.006

摘要

分析了几种氧化物半导体透明导电薄膜材料的掺杂改性的实验结果,建立了薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系,并给出了一个能够拟合实验曲线的抛物线方程.该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系,进而导出了一个最佳掺杂含量表达式.应用此表达式定量计算了铝掺杂氧化锌薄膜、锡掺杂氧化铟薄膜、锑掺杂二氧化锡薄膜等氧化物半导体透明导电薄膜材料最佳掺杂剂在不同制备方法下的最佳掺杂量.结果表明定量计算的结果与部分实验数据相符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范志新	河北工业大学应用物理系	80	693	13.0	23.0