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摘要:
无箔二极管中电子束的扩张和传输完全依赖于外加导引磁场控制.在考虑阴极杆发射的情况下,用PIC方法模拟了无箔二极管中电子束形成过程,据此对导引磁场和阴阳极结构的优化设计提出一些建议.
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文献信息
篇名 导引磁场对无箔二极管电子束形成的影响
来源期刊 高电压技术 学科 工学
关键词 导引磁场 无箔二极管 电子束形成
年,卷(期) 2002,(3) 所属期刊栏目 研究与专题论述
研究方向 页码范围 6-8
页数 3页 分类号 TL503.91
字数 2136字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-6520.2002.03.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘永贵 国防科技大学理学院 23 171 8.0 12.0
2 刘列 国防科技大学理学院 18 72 6.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
导引磁场
无箔二极管
电子束形成
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高电压技术
月刊
1003-6520
42-1239/TM
大16开
湖北省武汉市珞瑜路143号武汉高压研究所
38-24
1975
chi
出版文献量(篇)
9889
总下载数(次)
24
总被引数(次)
181291
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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